Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK669
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK669
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: SPA (~TO-92-M) Anschlussfolge DSG;
Daten/electr.data: Vgs: +/- 12 V; Vgs(off): 0.3 ... 1.5 V; Igss: <10 nA; Idss: <1 µA; Pd: 200 mW; Id: 100 mA; Vdss: 50 V; Rds(on): 20 Ω; tmax j: 125 °C;
High Speed Switch -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
4 x 3 x 2 mm / 0.16 x 0.12 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SK669: Sanyo
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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