Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
30G122
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
30G122
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N-Channel IGBT;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso (ST30G122) Anschlussfolge ___ (?);
Daten/electr.data: U S: __ V; Ices: __ mA; Pc: __ W; Ic max: __ A (peak: __ A); Vces max: __ V; Vges max: +/- __ V; t f: __ µs; tmax j: 150 °C.
(no data available yet)
Ähnlich/similar: GT30G122 (Toshiba) ?
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
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30G122: (Panasonic)
Günther Stabe † 19.8.20
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30G122: (Symbol)
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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