Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
3CG22B
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Land:
Volksrepublik China
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| Identisch mit |
3CG22B
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar PNP;
Form/Case: B-4 Anschlussfolge EBC.
Daten/electr.data: I F: 5 mA; U F: 4 V; U S: 0.8 V; Isp: 1 µA; ß (beta): 40-200; N: 500 mW; Imax(Ic): 100 mA; Umax(Uce): -30 V; f g(FT): 100 MHz; 10 pF; tmax j: __ °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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| Literatur |
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3CG22B: (chin.datasheet)
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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