Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
3DG4D
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Land:
Volksrepublik China
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| Identisch mit |
3DG4D
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| Ähnliche |
Grenzwerte anders:
3DG4B
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN;
Form/Case: TO-72 Anschlussfolge EBCs;
Daten/electr.data: I F: __ mA; U F: 4 V; Isp: <1 µA; ß (beta): 20-180; N: 300 mW; Imax(Ic): 30 mA; Umax(Uce): 15 V; f g(FT): >300 MHz; tmax j: 150 °C; rw: <80 Ohm; <5 pF;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 6 x 6 mm / 0.24 x 0.24 x 0.24 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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- - - chin.datasheet
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3DG4D: TVT 73
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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