Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
3DG8C
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Land:
Volksrepublik China
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| Identisch mit |
3DG8C
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
2SB561
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN;
Form/Case: TO-5;
Daten/electr.data: I F: __ mA; U F: 4 V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): 30-200; N: 200 mW; Imax(Ic): 30 mA; Umax(Uce): 25 V; f g(FT): >200 MHz; tmax j: 175 °C;
<4 pF;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
9 x 7 x 9 mm / 0.35 x 0.28 x 0.35 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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3DG8C: TVT 73
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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