Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
3SK136
|
Land:
Japan
|
|
| Identisch mit |
3SK136
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Anwender |
Radio/TV-Empfang etc. |
| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal Dual Gate MOS-FET;
Form/Case/Outline: MPAK-4 Anschlussfolge S-G1-G2-D;
Daten/electr.data: I dss: 5...25 mA; Vg1s/Vg2s: +/- 8 V; ß (beta): __; N: 150 mW; Id: 35 mA; Vds: 20 V; f g (FT): 200 MHz; tmax j: 125 °C;
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
3 x 1 x 2 mm / 0.12 x 0.04 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers.
|
|
3SK136: Hitachi
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
