Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
3SK39
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
3SK39
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N Dual Gate MOS-FET;
Form/Case/Outline: TO-72 Anschlussfolge D-G2-G1-S;
Daten/electr.data: I F: 50 µA; U S: <3.0 V; Isp: <20 nA; ß (beta): 7-18; N: 250 mW; Imax(I dr): 24 mA; Umax(U dr-s): 20 V; f g(FT): __ MHz; tmin: __ °C; tmax: __ °C.
Varianten: 3SK39-Z = Industrieanwendungen;
3SK39-P / 3SK39-Q / 3SK39-R = untersch. Idss-Strom 1...24 mA;
Manufactured by Matsushita (J)
Anwendungen: /Osz./Mischer bis in den UHF-Bereich -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 6 x 6 mm / 0.24 x 0.24 x 0.24 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler) TTT Steidle 1981
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3SK39: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:6
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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