Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
A1A4P
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
A1A4P
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Aufbau/internal: IC (1 Trans. NPN, 2 Widerst.);
Form/Case: TO-92 (AA1A4P) Anschlussfolge BCE | S-22 (BA1A4P), ECB | SOT23-Mini (FA1A4P, Marking: L34), EBC | SOT-23-3 (GA1A4P, Marking: L34), EBC;
Typ/Content: "Digitaler Transistor": epitaxial planar NPN mit 2 integrierten Dünnfilm-Widerständen 10 kΩ + 47 kΩ;
Daten/electr.data: I F: 0.25 mA; Umax(Ucb): 60 V; Umax(Uce): 50 V; Imax(Ic): 100 mA; hfe1: 85-340; Ptot: <300 mW; t op: -55...150 °C; kompl.: N1A4P;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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A1A4P: NEC
Günther Stabe † 19.8.20
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A1A4P: NEC
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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