Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
AP3310H
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Land:
Taiwan (Republic of China)
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| Identisch mit |
AP3310H
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium P-Kanal Power FET, Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: TO-252 (AP3310H) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: -20 V; Id: -10 A; Idm: -24 A; Idss: <-1 µA; Vgs: +/- 12 V; Vgs(th): >-0.5 V; Rds(on): 0.15 Ω; Pd: 25 W; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 7 x 3 mm / 0.24 x 0.28 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature AP - Advanced Power Electronics Corp.
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AP3310H: AP
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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