Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
AP60T03
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Land:
Taiwan (Republic of China)
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| Identisch mit |
AP60T03
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power FET, Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: TO-252 (AP60T03GH) | TO-251 (AP60T03GJ) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 30 V; Id: 45 A; Idm: 120 A; Idss: <1 µA; Vgs: +/- 20 V; Vgs(th): 1...3 V; Rds(on): 0.012 Ω; Pd: 44 W; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 8 x 3 mm / 0.28 x 0.31 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature AP - Advanced Power Electronics Corp.
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AP60T03: AP
Günther Stabe † 19.8.20
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AP60T03: AP
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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