Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
APM3023
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Land:
Taiwan (Republic of China)
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| Identisch mit |
APM3023
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-252 (APM3023ND) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs/th): 1...2 V; Vgs: +/-20 V; Idss: <1 µA; Igss: <100 nA; Pd: 1.47 W; Id: 7 A; Vdss: 30 V; Rds(on): 0.015 Ω; tmax j: 150 °C.
Manufactured by Anpec Electronics Corp. (TW)
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 8 x 2 mm / 0.28 x 0.31 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Anpec
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APM3023: Anpec
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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