Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BA224
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
BA224
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium Epitaxial Planar Diode;
Form/Case/Outline: DO-7a;
Daten/electr.data: I F: 150 mA; V F: <1.0 V; I R: <0.1 µA; N: 500 mW; I o: 100 mA; I fsm: 2 A; V R max: 150 / 220 / 300 V (s. Suffix-Angabe); trr: <40 ns; tmax j: 200 °C;
Schnelle Diode für hohe Ströme -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 3 x mm / 0.31 x 0.12 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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BA224: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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