Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BAW30
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Land:
Italien / Italy
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| Identisch mit |
BAW30
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium Miniatur-Pico-Ampére-Diode;
Form/Case/Outline: TO-46;
Daten/electr.data: I F: 100 mA; U F: <1 V; I sp: 10 pA; U r: 10 V; Pd: 135 mW; U max: 35 V; tmax j: __ °C;
für Schutzschaltungen (MOSFET ff.)
Manufactured by SGS-ATES (SGS-Fairchild)
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| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
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BAW30: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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BAW30: F-T 17/68/632
Egon Strampe
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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