Material/Aufbau/Pol.: Silizium diff. Diode; Form/Case: ~ DO-7; Daten/electr.data: I F: 100 mA; U F: 1 V; Isp: 0.1 µA; Usp: 300 V; N: 250 mW; Imax: 100 mA; Umax: 300 V; 1 µs; tmax j: 175 °C. ersetzt/replaces OA131/32 -