Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BN1F4M
|
Land:
Japan
|
|
| Identisch mit |
BN1F4M
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Anwender |
Industrie |
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium PNP;
Form/Case/Outline: ~TO-92;
Daten/electr.data: ß (beta): >60; P: 250 mW; Imax(Ic): 100 mA; Umax(Ucb): -60V; Umax(Uce): -50 V; tmax j: 150 °C.
Applikation/App: Schalttransistor mit integriertem Basis-Emitter-Spannungsteiler: 2x 22kΩ;
-
|
| Literatur |
- - Manufacturers Literature NEC
|
|
BN1F4M: Manufacturers Data Sheet
Anonym 945 Sammler
|
|
BN1F4M: Manufacturers Data Sheet
Anonym 945 Sammler
|
Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
