Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN - Phototransistor ohne Basisanschluss; Form/Case/Outline: (M 71), lichtdurchlässige Oberseite; Daten/electr.data: Empfindlichkeit/sensitivity (bei 1000 lx:) Spektral max: 0.75 µm; Dunkelstrom max: 5 nA; ~ bei: 15 V; Hell-Strom Betrieb: 0.5 ... 3 mA* bei 5 V; Nmax: __ mW; Ansprechzeit: 5 µs; t max: 125 °C; Varianten: BPY61-I = 0.5 mA, BPY61-II = 1.5 mA, BPY61-III = 3 mA *) Hell-Strom.
