Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BUF410
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
BUF410
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Multi-Epitaxial NPN;
Form/Case: TO-218 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 4.5 A; U S: <2.8 V; Isp: 1 mA; ß (beta): >8; N: 125 W; Imax(Ic): 15 A; Umax(Vcev): 850 V; Umax(Vceo): 450 V; tmax j: 150 °C.
Schneller Leistungs-Schalter -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
15 x 20 x 5 mm / 0.59 x 0.79 x 0.20 inch |
| Gewicht |
4 g / 0.14 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature
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BUF410: STM
Günther Stabe † 19.8.20
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BUF410: Datasheet
Egon Strampe
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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