Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BZX3V3
|
Land:
Hong Kong
|
|
| Identisch mit |
BZX3V3
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium Zener-Diode;
Form/Case/Outline: DO-35;
Daten/electr.data: I z max: 120 mA; V z: 3.3 V; Ptot: <500 mW; t max j: 175 °C.
Family: BZX0V8 (BZX0,8) ... BZX39 -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
2 x 4 x mm / 0.08 x 0.16 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. COS/DAIWA
|
|
|
|
|
BZX3V3: VISHAY-Datenblatt
Oskar Elm
Mehr...
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
