Material/Aufbau/Pol.: Silizium Zener-Leistungs-Diode; Form/Case/Outline: ~ DO-4, Schraubbolzen M3; Daten/electr.data: I F: 100 mA; U F: 1 V; Isp: 0.1 µA; Usp: 1 V; N: 3.5 W; Iz max: 50 mA; U z out: 12 V +/- 10%; tmax j: 150 °C. Vergleichstyp/similar: BZY92/C12 (Vorgänger) -