Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
CEP20N06
Land:
Volksrepublik China
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Identisch mit |
CEP20N06
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Sockel |
Drahtenden
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Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs: 1...3 V; Vgs: +/- 20 V; Idss: <1 µA; Igss: <100 nA; Vsd: __ V; Pd: 50 W; Idr: 28 A; Vdss: 60 V; Rds(on): <0.05 Ohm; tf: 6 ns; tmax j: 150 °C.
Variante: CEB20N06 = TO-263;
Similar to: P20N06 / STP20N06 / ... -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
Literatur |
- - Manufacturers Literature CETSEMI
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CEP20N06
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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