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CEP50N06

Information - Hilfe 
ID = 87736
       
Land:
Volksrepublik China
Marke: Common type China (PRC) tube/semicond.
Typ:  Transistor   Stromversorgung 
Identisch mit CEP50N06
Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case: TO-220;
Daten/electr.data: VGS: +/- 20 V; PD: 131 W; ID: 50A; VDS: 60 V; Tj max: 175 °C.
Variante: CEB50N06: TO-263
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Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch
Gewicht 2 g / 0.07 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   CETSEMI
cep50n06.png CEP50N06: Datasheet
Egon Strampe

Sammlung von

Egon Strampe (D)
 
cep50n06.jpg

 
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