Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
D45C
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Land:
USA
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| Identisch mit |
D45C
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar PNP;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 1 A; U F: -5 V; U S: <0.5 V; Isp: <10 µA; ß (beta): >25; N: 30 W; Imax(Ic): 4 A; Umax(Uce): -30...-80 V*; f g(FT): >50 MHz; t f: <0.4 µs; tmax j: 150 °C; kompl.: D44C(1...12).
Varianten: D45C1 / D45C2 / D45C3 = -30V*, D45C4 / D45C5 / D45C6 = -45V*, D45C7 / D45C8 / D45C9 = -60V*, DH45C10 / D45C11 / D45C12 = -80V*
Manufactured by GE and Boca Semiconductor Corp. (BSC).
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
4 g / 0.14 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature BSC
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D45C: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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