Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
DTA123
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
DTA123
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| Ähnliche |
Grenzwerte anders:
DTB123
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Aufbau/internal: "Digitaler Transistor" (zweifach diff. epitax. planar) PNP mit 2 integrierten Dünnfilm-Widerständen* ;
Form/Case/Outline: TO-92-S Anschlussfolge CBE | SC-72 (DTA123xSA);
Daten/electr.data: Umax(Uce): 50 V; Imax(Ic): 100 mA; Ptot: 350 mW; t op: -55...125 °C; kompl.: DTC123x;
Varianten: DTA123E = 2.2 kΩ + 2.2 kΩ*, DTA123J = 2.2 kΩ + 47 kΩ, DTA123Y = 2.2 kΩ + 10 kΩ*;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 6 x 4 mm / 0.20 x 0.24 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ROHM
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DTA123
Günther Stabe † 19.8.20
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DTA123: ON Semiconductor
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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