Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
E200_FET
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Land:
USA
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| Identisch mit |
E200_FET
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Sperrschicht-FET;
Form/Case/Outline: TO-106 Anschlussfolge: SDG (?);
Daten/electr.data: Idss: __ mA; I gss: 0.5 µA; U gd: 30 V; Igss: __ nA; Rds(on): __ Ω; Pd: 250 mW; Vgss: __ V; Vgs(off): __ V; f g (FT): [200] MHz; tmax j: __ °C;
(no more data available) Manufactured by Siliconix Inc. (USA) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 6 x 5 mm / 0.24 x 0.24 x 0.20 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler) KTT 1969/70
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E200_FET
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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