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E420_FET

Information - Hilfe 
ID = 65328
       
Land:
USA
Marke: Fairchild Semiconductor Inc., South Portland/Maine
Typ:  Transistor   Universal 
Identisch mit E420_FET
Erste Quelle(n)
Jul.1978 : -- Collector info (Sammler) Date Code

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Zweifach (Dual) Silizium N-Kanal Sperrschicht FET;
Form/Case: ~ TO-106 6 Pins, Anschlussfolge S1-D1-G1-.-S2-D2-G2-.- (?);
Daten/electr.data: Vgs(off): <6 V; Igss: <0.5 µA; Idss: >30 mA; ß (beta): __; N: 350 mW; IDmax: __ mA; IG max: __ mA; V(br)GSS: 25 V; g(fs) Trans. conduct.: 4.5 ... 9.0 ms; C(iss) Max.: 3.5 pF; f g(FT): __ MHz; tmax j: __ °C.
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Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
6 x 5 x 5 mm / 0.24 x 0.20 x 0.20 inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur

elektorscoop_8_elektor_1976_01_vorverstaerker_e420.png
E420_FET: Elektor 1976/01
Anonym 1003 Sammler

e420_fet_s.png E420_FET: G.S.
Günther Stabe † 19.8.20

Sammlung von

 
sam_0651.jpg

 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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