Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
EA40QC04
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
EA40QC04
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: 2 Silizium Schottky Barrier Dioden, gemeins. Kathode;
Form/Case/Outline: TO-252 (EA40QC04-F);
Daten/electr.data: I fsm: 40 A; V fm: <0.55 V; I rm: <2 mA; Vrsm: 45 V; Pd: __ W, Io: 1.8 A; Vrrm: 40 V; tmax j: 150 °C;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 7 x 2 mm / 0.28 x 0.28 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Nihon Inter Electronics Corp.
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EA40QC04: Nihon
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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