Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
EGP50
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Land:
Weltweit
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| Identisch mit |
EGP50
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium glass pass. Gleichrichter-Diode;
Form/Case/Outline: DO-201;
Daten/electr.data: I F(av): 5 A; V F: <1.25 V; I sp: 5 µA; V rrm: 50...400 V*; N: __ W, I fsm: 150 A; V rms: 35...280 V; trr: 50 ns; tmax j: 150 °C;
Varianten: EGP50A = 50 V*; EGP50B = 100 V*; EGP50C = 150 V*; EGP50D = 200 V*; EGP50F = 300 V*; EGP50G = 400 V*;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
9 x 5 x 9 mm / 0.35 x 0.20 x 0.35 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Vishay
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EGP50: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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