Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
F10KF20
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
F10KF20
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium Fast Recovery Diode;
Form/Case/Outline: ~TO-220;
Daten/electr.data: Vrrm: 200 V; I Irms: 15,6 A; rrt: 35 ns; tmax j: 150 °C;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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F10KF20: Datasheet
Egon Strampe
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F10KF20: Datasheet
Egon Strampe
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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