Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
F12C20
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Land:
Taiwan (Republic of China)
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| Identisch mit |
F12C20
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Fast Rectifier Doppel-Diode;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge A1-K1/K2-A2 *;
Daten/electr.data: Io: 6 A; Ifsm: 100 A; Vfm: 1.3 V; I r: 5 µA; Vrrm/Vdc: 200 V*; tmax j: 150 °C.
Varianten: F12C20C = common cathode, F12C20A = common anode, F12C20D = double (A1-K1-A2-K2);x
Family: F12C05...F12C20x = 50...200 V * - Manufactured by Mospec Semiconductor (Taiwan) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature MOSPEC
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F12C20: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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