Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
F1R3G
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
F1R3G
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| Sockel |
Drahtenden
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| Anwender |
Industrie |
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Thyristor;
Form/Case: ~ TO-202;
Daten/electr.data: Zündspannung Ugt: <0.8 V; Zündstrom Igt: 50 µA; Igtm: 1 A; I h: <3 mA; Pgm: 20 W; per.Spitzensperrspannung Udrm: 400 V; Dauergrenzstrom Itav: __ A; per.Spitzenstrom Itrm: 4 A; Stossstrom Itsm: 20 A; t gt: 1.2 µs; t op: -40...+100°C
Ähnlich/similar: NTE5457 (Daten s.o.) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 20 x 4 mm / 0.39 x 0.79 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature NTE
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F1R3G: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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