Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
F6P20F
|
Land:
Japan
|
|
| Identisch mit |
F6P20F
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Aufbau/Material/Pol.: Silizium Fast Recovery Doppel-Diode;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge A1-K1/K2-A2;
Daten/electr.data: Vrrm: 200 V; Vf: <0.98 V; Ir: <10 µA, I o: 6.6 A; Ifsm: 60 A; tmax j: 150 °C.
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Nihon Inter Electronics Corp.
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
