Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
FCHS30A045
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
FCHS30A045
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Schottky Barrier Leistungsdioden;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge A1-K1/K2-A2;
Daten/electr.data: Vrrm: 45 V; Io max: 30 A; Ifsm: 250 A; Irm: <0.2 mA, Vrm: <0.58 V; tmax j: 150 °C;
Manufactured by NIEC (J)
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature NIEC - Nihon Inter Electronics Corp., Japan
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FCHS30A045: NIEC
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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