Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
FDD6690
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Land:
USA
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| Identisch mit |
FDD6690
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power Trench MOS-FET Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-252 / D-PAK (FDD6690A) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: 30 V; Id: <46 A; Vgss: +/- 20 V; Idss: <1 µA; Igss: <0.1 µA; Vgs(th): 1...3 V; Pd: 56 W; Rds(on): <0.014 Ω; tmax j: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 6 x 2 mm / 0.28 x 0.24 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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FDD6690: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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