Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
FDG6301N
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Land:
USA
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| Identisch mit |
FDG6301N
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| Sockel |
SMD generell
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: MOSFET Dual N-Channel ;
Form/Case/Outline: SSOT-6;
Daten/electr.data: Vds max: 25 V; Vgs max: - 500mV, + 8 V; Id max: 220 mA; Ptot max: 0,9 W; Tjmax: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
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FDG6301N: Peter Pfeiffer
Peter Pfeiffer
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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