Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
FMC20N50
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
FMC20N50
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
HI20N50
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: N-Kanal Silizium Power MOSFET;
Form/Case: TO-220-Iso Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: N: 270 W; Id max: 20 A; Vdss: 500 V; Vgs: +/- 30 V; Rds(on): 0.27 Ohm; tmax j: 150 °C.
Leistungsschalter - Manufactured by FUJI Electric Device Techn. Co.Ltd. (J) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature FUJI
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FMC20N50: STM
Günther Stabe † 19.8.20
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FMC20N50: FUJI
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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