Material/Aufbau/Pol.: Silizium 30V Logic N-Kanal Power [D]MOS-FET, Anreicherungstyp; Form/Case/Outline: D²PAK (FQB60N03L) | I²Pak (FQI60N03L) Anschlussfolge GDS; Daten/electr.data: Vgs: +/- 20 V; Idss: <1 µA; Igss: 100 nA; Vgs(th): 1 ... 2.5 V; Pd: 100 W; Idr: 60 A; Vdss: 30 V; Rds(on): 0.0135 Ω; tmax j: 175 °C. -
