Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
FQB7N65C
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Land:
USA
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| Identisch mit |
FQB7N65C
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: N-Kanal Power QFET° MOSFET, Enhancement mode;
Form/Case/Outline: TO-263 (FQB7N65CTM) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: N: 173 W; Id max: 7 A; Idm: 28 A; Idss: <1 µA; Igss: <100 nA; Vgs(th): 2...4 V; Vdss: 650 V; Vgs: +/- 30 V; Rds(on): <1.4 Ω; td(on): <50 ns; tmax j: 150 °C.
Leistungsschalter
Ähnlich/similar: CS7N65, ...
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 11 x 3 mm / 0.39 x 0.43 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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FQB7N65C: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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