Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
FQPF13N06
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Land:
USA
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| Identisch mit |
FQPF13N06
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: N-Channel Power DMOS QFET° MOSFET, Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: TO-220-F Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs: +/- 25 V; Vgs(th): 2...4 V; Igss: <+/- 100 nA; Idss: <1 µA; Rds(on): <0.135 Ω; N: 24 W; Id: 9.4 A; Vdss: 60 V; t max j: +175 °C.
Variante: FQPF13N06L = LOGIC, 10 A, +/-20 V, 1... 2.5 V, <0.11 Ω;
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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FQPF13N06: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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FQPF13N06: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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