Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
G3B
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Land:
USA
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| Identisch mit |
G3B
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium Gleichrichter-Diode, glaspassiviert;
Form/Case/Outline: ~ SOD-64;
Daten/electr.data: V F: 1.1 V; I r: 5 µA; Vrms: 70 V; N: __ W, I fav: 3 A; Ifsm: 125 A; Vrrm: 100 V*; trr: 3 µs; tmax j: 175 °C;
Family: G3A ... G3M = 50...1000 V*;
Manufactured by General Semiconductor (USA) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 7 x mm / 0.24 x 0.28 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature General Semiconductor
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G3B: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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