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GC112

Information - Hilfe 
ID = 35174
       
Land:
Deutschland / Germany
Marke: Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik (WBN), Teltow, VEB, RFT (Ostd.) - vorm. DRALOWID
Entwickler: Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik (WBN), Teltow, VEB, RFT (Ostd.) - vorm. DRALOWID 
Typ:  Transistor   Niederfrequenz 
Identisch mit GC112
Erste Quelle(n)
Mar.1963 : -- Collector info (Sammler)

Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Germanium Fläche PNP;
Form/Case: TO-18 L;
Daten/electr.data: I F: 2 mA; U F: _ V; Isp: <10 µA; ß (beta): 10-80; N: 120 mW; Imax(Ic): 125 mA; Umax(Ucb): -80 V; f g(FT): >0.3 MHz; tmax: 75 °C.
Später in HWF/HFO (Halbleiterwerk Frankfurt/Oder) gebaut.

Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
6 x 10 x mm / 0.24 x 0.39 x inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur

gc112.gif
GC112: Eigentum
Egon Strampe

to18_l_57.gif GC112: TVT 73
Günther Stabe † 19.8.20

d_gc112_daten.png
GC112: Hersteller
Andreas Hahn

Verwendung in Modellen 1= 1966

Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:1

Sammlung von

 
gc112.jpg

GC112
 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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