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GD175

Information - Hilfe 
ID = 47460
       
Land:
Deutschland / Germany
Marke: Röhrenwerk "Anna Seghers" Neuhaus a.R., VEB (RWN)
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit GD175
Nachfolger GD242  
Sockel Kein Sockel
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Germanium Fläche PNP;
Form/Case: D2 (~ SOT-9);
Daten/electr.data: I F: 1.5 A; U F: 2 V; U S: <0.6 V; Isp: <1.5 mA; ß (beta): 18-90; N: 5.3 W; Imax(Ic): 3 A; Umax(Ucb): -48 V; f g(FT): 0.2 MHz; tmax j: 85 °C.
3 Stromverstärkungsgruppen: GD175A / GD175B / GD175C - 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 31 x 8 x 19 mm / 1.22 x 0.31 x 0.75 inch
Gewicht 8 g / 0.28 oz
gd175schalt.png
GD175: electronica 154
Egon Strampe
sot9_m_57.gif GD175: KTT 1969/70
Günther Stabe † 19.8.20
gd160180_1.png
GD175: Halbleiter-Bauelemente 1978
Egon Strampe
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Verwendung in Modellen 2= 1968 ; 1= 1971?
Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:3

Sammlung von

Oskar Elm (D)
Jörg Kulbe (D)
Karlheinz Fischer (D)
Michael Mischke (D)
Wolfgang Eckardt (D)
 
gd175_2.jpg

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[rmxtube-ge, noindex]
  
Datenkonformität Mehr Informationen