Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
GI824
Land:
USA
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Identisch mit |
GI824
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Sockel |
Drahtenden
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Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Gleichrichter-Diode;
Form/Case: (P600 axial);
Daten/electr.data: Vrrm: 400 V; Vrsm: 450 V; If(av): 5 A; Ifsm: 300 A; tmax j: 150 °C.
Family: GI820...GI828 = 50...800 V;
Manufactured by General Semiconductor (USA) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
9 x 9 x 9 mm / 0.35 x 0.35 x 0.35 inch |
Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
Literatur |
- - Manufacturers Literature General Semiconductor
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GI824: General Semiconductor
Günther Stabe † 19.8.20
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GI824: General Semiconductor
Günter Kudicke
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
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