Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
GMR10H60C
|
Land:
USA
|
|
| Identisch mit |
GMR10H60C
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Aufbau/Material/Pol.: Zweifach Silizium Schottky Diode;
Form/Case/Outline: TO-220 (GMR10H60CTB3T) | TO-220-Iso (GMR10H60CTBF3T) Anschlussfolge A1-K1/K2-A2;
Daten/electr.data: Vrrm: 60 V; Vf: <0.8 V; Ir: 10 µA, I o: 2x 5 A; Ifsm: 160 A; tmax j: 150 °C.
Manufactured by Gamma Microelectronics (USA);
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers.
|
|
GMR10H60C: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
