Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
H11F1
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Land:
USA
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| Identisch mit |
H11F1
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| Sockel |
SPEZIALSOCKEL allgemein
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| Beschreibung |
Aufbau/Content: IC (1 Photo-FET, 1 Gallium-Arsenid-IR-Diode);
Form/Case/Outline: DIP-6;
Application/Type: Opto-Koppler;
Daten/electr.data: Vr: 5 V, I f: 60 mA, Pd: 100 mW, t op: -55...+100 °C.
Family: H11F1, H11F2, H11F3
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 7 x 8 mm / 0.31 x 0.28 x 0.31 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Fairchild Semiconductor
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H11F1: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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H11F1: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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H11F1: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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