Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
HAN807
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
HAN807
= 2N708
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial NPN;
Form/Case/Outline: TO-18;
Daten/electr.data: I F: 10 mA; U F: 5 V; U S: <0.4 V; Isp: <25 nA; ß (beta): 30-120; N: 360 mW; Imax(Ic): 200 mA; Umax(Ucb): 40 V; Umax(Uce): 15 V; f g(FT): >300 MHz; tmax j: 175 °C.
Schnelle Schaltstufen
(Stempelung zur Umgehung der Embargoliste) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 6 x 6 mm / 0.24 x 0.24 x 0.24 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
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HAN807: TVT 73
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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