Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
HE8551
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Land:
Taiwan (Republic of China)
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| Identisch mit |
HE8551
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
BC369
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar PNP;
Form/Case/Outline: TO-92 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 500 mA; U F: (-6) V; U S: <1.2 V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): 100-500*; N: 1 W (2 W AF Push-Pull); Imax(Ic): 1.5 A; Umax(Ucb): -40 V; Umax(Uce): -25 V; f g(FT): >100 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: HE8051;
Varianten: HE8551-B = 85-160*, HE8551-C = 120-200*, HE8551-D = 190-300*, HE8551-E = 250-500* (hfe-/beta-Gruppen) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Hi-Sincerity Microelectronics Corp. Taiwan
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HE8551: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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