Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRF530
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Land:
USA
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| Identisch mit |
IRF530
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| Ähnliche |
Grenzwerte anders:
IRF520
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case/Outline: TO-220 | TO-263 (IRF530NS) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: 100 V; Id: 14 A; Vgs: +/- 20 V; Rds(on): <0.16 Ω; Pd: 77 W; tmax j: 150 °C.
Variante: IRFP130 (Outline: TO-3-Pl)
IRF530: VDSS: 100V; RDSon: < 0.16Ω; ID: 16A (SGS Thomson)
IRF530FI: VDSS: 100V; RDSon: < 0.16Ω; ID: 10A (SGS Thomson)
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Sammlerpreise |
1 Sammlerpreise (nur sichtbar für
Mitglieder Radiomuseum.org)
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| Literatur |
- - Manufacturers Literature Samsung
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IRF530
Günther Stabe † 19.8.20
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IRF530: International-Rectifier Datenblatt
Oskar Elm
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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