Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRF614
Land:
USA
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Identisch mit |
IRF614
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Sockel |
Drahtenden
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Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: 250 V; Id: 2 A; Vgs: +/- 20 V; Rds(on): 2.0 Ohm; Pd: 20 W; tmax j: 150 °C. -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
Literatur |
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- - Manufacturers Literature InterSil
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IRF614: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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IRF614: IR
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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