Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRF620
|
Land:
USA
|
|
| Identisch mit |
IRF620
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement mode, Avalanche rugged;
Form/Case: TO-220 (IRF620) | TO-220F-iso- (IRFS620FI/IRF620FP*) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs: +/-20 V; Vdss: 200 V; Id: 5.2 / 6 A; Idss: <25 µA; Pd: 50 (30*) W; Rds(on): 0.8 Ohm; tmax j: 150 °C.
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - -
- - Manufacturers Literature IR, ST
- - -
- - -
|
|
IRF620: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
Mehr...
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
