Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRF644
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Land:
Weltweit
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| Identisch mit |
IRF644
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement mode, Avalanche rugged;
Form/Case: TO-220 (IRF644) | TO-220-F (IRFS644) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 250 V; Vgss: +/- 30 V; Vgs(th): 2...4 V; Id: 14 A; Idss: <10 µA; Igss: <0.1 µA; Pd: 139 W (43 W: IRFS644); Rds(on): 0.22 Ohm; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Fairchild
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IRF644: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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